STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- RS-artikelnummer:
- 214-960
- Tillv. art.nr:
- SCT070H120G3-7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
119 321,00 kr
(exkl. moms)
149 151,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 119,321 kr | 119 321,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-960
- Tillv. art.nr:
- SCT070H120G3-7
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 224W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Forward Voltage Vf | 3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.25mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 224W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Forward Voltage Vf 3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.25mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod