STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-955
- Tillv. art.nr:
- SCT027H65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
206,30 kr
(exkl. moms)
257,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 206,30 kr |
| 10 - 99 | 185,58 kr |
| 100 + | 171,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-955
- Tillv. art.nr:
- SCT027H65G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Kapseltyp | H2PAK-7 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.4 mm | |
| Längd | 15.25mm | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Kapseltyp H2PAK-7 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.4 mm | ||
Längd 15.25mm | ||
Höjd 4.8mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode