STMicroelectronics Typ N, Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-951
- Tillv. art.nr:
- SCT025H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
265 041,00 kr
(exkl. moms)
331 301,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 265,041 kr | 265 041,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-951
- Tillv. art.nr:
- SCT025H120G3AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SCT025H120G3AG | |
| Kapseltyp | H2PAK-7 | |
| Fästetyp | Yta, Ytmontering | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.7V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Bredd | 10.4 mm | |
| Längd | 15.25mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SCT025H120G3AG | ||
Kapseltyp H2PAK-7 | ||
Fästetyp Yta, Ytmontering | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.7V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Höjd 4.8mm | ||
Bredd 10.4 mm | ||
Längd 15.25mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode