DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXM61N03FTA
- RS-artikelnummer:
- 154-964
- Tillv. art.nr:
- ZXM61N03FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
63,125 kr
(exkl. moms)
78,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 149 950 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 2,525 kr | 63,13 kr |
| 150 - 725 | 1,455 kr | 36,38 kr |
| 750 - 1475 | 1,226 kr | 30,65 kr |
| 1500 + | 1,004 kr | 25,10 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 154-964
- Tillv. art.nr:
- ZXM61N03FTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 300mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 806mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.95V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.05mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 806mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.95V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.05mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
relaterade länkar
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS351AN
- DiodesZetex ZXMN10A07Z Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMN10A07Z Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-89 ZXMN10A07ZTA
- Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS316NH6327XTSA1
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
