STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F6

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 5 enheter)*

100,13 kr

(exkl. moms)

125,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 415 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
5 - 4520,026 kr100,13 kr
50 - 9519,062 kr95,31 kr
100 - 49517,696 kr88,48 kr
500 - 99516,24 kr81,20 kr
1000 +15,612 kr78,06 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-912
Tillv. art.nr:
STD35P6LLF6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

STripFET F6

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.028Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal effektförlust Pd

70W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics P-kanals effekt-MOSFET, som utvecklats med STripFET F6-teknik, med en ny grindgrindstruktur. Den resulterande Power MOSFET har mycket låg RDS(on) i alla höljen.

Mycket lågt motstånd under drift

Mycket låg grindladdning

Hög motståndskraft mot laviner

Låg effektförlust för grinddrivning

Relaterade länkar