STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 1500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5
- RS-artikelnummer:
- 151-450
- Tillv. art.nr:
- STW12N150K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 enhet)*
86,91 kr
(exkl. moms)
108,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 574 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 86,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-450
- Tillv. art.nr:
- STW12N150K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1500V | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.9Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1500V | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.9Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Industrys lowest RDS(on) x area
Industrys best FoM
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener protected
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 7 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6 A 1200 V Förbättring TO-247, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 19.5 A 800 V Förbättring TO-247 SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 14 A 800 V Förbättring TO-247 SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal 4 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 2.5 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 8 A 1500 V Förbättring TO-247, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 9 A 950 V Förbättring TO-220FP, MDmesh K5
