STMicroelectronics MDmesh II Type N-Channel MOSFET, 2.2 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV STL3NM60N

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

115,47 kr

(exkl. moms)

144,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 5 940 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Längd*
10 - 9011,547 kr115,47 kr
100 - 24010,976 kr109,76 kr
250 - 49010,158 kr101,58 kr
500 - 9909,33 kr93,30 kr
1000 +9,016 kr90,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-423
Tillv. art.nr:
STL3NM60N
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

MDmesh II

Package Type

PowerFLAT (3.3 x 3.3) HV

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.5nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

22W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
MY
The STMicroelectronics Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

100% avalanche tested

Low input capacitance and gate charge

relaterade länkar