STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 10 enheter)*

115,47 kr

(exkl. moms)

144,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 720 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 9011,547 kr115,47 kr
100 - 24010,976 kr109,76 kr
250 - 49010,158 kr101,58 kr
500 - 9909,33 kr93,30 kr
1000 +9,016 kr90,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
151-423
Tillv. art.nr:
STL3NM60N
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

MDmesh II

Kapseltyp

PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.5nC

Maximal effektförlust Pd

22W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med andra generationens MDmesh-teknik. Denna revolutionerande Power MOSFET associerar en vertikal struktur med företagets remslayout för att ge ett av världens lägsta motstånd. Den är därför lämplig för de mest krävande omvandlarna med hög effektivitet.

100 % avalanche-testade

Låg ingångskapacitans och grindladdning