Vishay 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
919-4195
Tillv. art.nr:
SI4946BEY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOIC

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

52mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3.7W

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4mm

Längd

5mm

Höjd

1.55mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TW

Dubbel N-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.