IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- RS-artikelnummer:
- 917-1457
- Tillv. art.nr:
- IXTH12N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 917-1457
- Tillv. art.nr:
- IXTH12N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 12 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 650 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | X2-Class | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.4 V | |
| Höjd | 5.3 mm | |
| Längd | 16.24 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 300 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 180 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Genomgående hål | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 17.7 nC | |
| Bredd | 21.45 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Antal element per chip 1 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 12 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 650 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie X2-Class | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.4 V | ||
Höjd 5.3 mm | ||
Längd 16.24 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 300 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 180 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Genomgående hål | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 17.7 nC | ||
Bredd 21.45 mm | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series
The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
Very low RDS(on) and QG (gate charge)
Intrinsic rectifier diode
Low intrinsic gate resistance
Low package inductance
Industry standard packages
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Relaterade länkar
- IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 62 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, X2-Class