IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- RS-artikelnummer:
- 917-1457
- Tillv. art.nr:
- IXTH12N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
98,06 kr
(exkl. moms)
122,58 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 49,03 kr | 98,06 kr |
| 10 - 28 | 35,17 kr | 70,34 kr |
| 30 - 118 | 34,61 kr | 69,22 kr |
| 120 - 238 | 34,05 kr | 68,10 kr |
| 240 + | 32,48 kr | 64,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 917-1457
- Tillv. art.nr:
- IXTH12N65X2
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | X2-Class | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål, Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 180W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.3mm | |
| Längd | 16.24mm | |
| Bredd | 21.45mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie X2-Class | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål, Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 180W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.3mm | ||
Längd 16.24mm | ||
Bredd 21.45mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig effekt-MOSFET, IXYS X2-Class-serien
IXYS X2-klassens Power MOSFET-serie erbjuder betydligt lägre on-motstånd och gate-laddning jämfört med tidigare generationer av Power MOSFETs, vilket resulterar i minskade förluster och högre effektivitet. De här robusta enheterna har en inbyggd diod och är lämpliga för både hård switchning och resonansapplikationer. Power MOSFET:er i X2-klassen finns i en mängd olika industristandardiserade kapslingar, inklusive isolerade typer, med märkdata på upp till 120 A vid 650 V. Typiska tillämpningar är DC-DC-omvandlare, AC- och DC-motordrifter, switchade och resonansmodade nätaggregat, DC Choppers, solcellsväxelriktare, temperatur- och belysningsstyrning.
Mycket låg RDS(on) och QG (grindladdning)
Intrinsic likriktardiod
Låg inneboende grindresistans
Låg induktans i paketet
Industriella standardpaket
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett sortiment av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 80 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 48 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 62 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, X2-Class
- IXYS N Kanal, MOSFET, 54 A 650 V Förbättring, 3 Ben, ISOPLUS247, X2-Class