STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 877-2949P
- Tillv. art.nr:
- STN3P6F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
460,40 kr
(exkl. moms)
575,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 490 | 4,604 kr |
| 500 - 990 | 3,915 kr |
| 1000 - 1990 | 3,867 kr |
| 2000 + | 3,821 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 877-2949P
- Tillv. art.nr:
- STN3P6F6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.6W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.6W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 3.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal STripFETTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.