STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 876-5711P
- Tillv. art.nr:
- STS10P4LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
827,20 kr
(exkl. moms)
1 034,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 860 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 490 | 8,272 kr |
| 500 - 990 | 8,171 kr |
| 1000 - 2490 | 8,072 kr |
| 2500 + | 7,976 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 876-5711P
- Tillv. art.nr:
- STS10P4LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.7W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.7W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal STripFETTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.