STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 876-5689P
- Tillv. art.nr:
- STL60P4LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
887,80 kr
(exkl. moms)
1 109,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 100 - 490 | 8,878 kr |
| 500 - 990 | 7,062 kr |
| 1000 - 2990 | 6,665 kr |
| 3000 + | 6,405 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 876-5689P
- Tillv. art.nr:
- STL60P4LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | STripFET | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 19mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.35mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie STripFET | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 19mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.35mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanal STripFETTM effekt-MOSFET, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.