STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 876-5685
- Tillv. art.nr:
- STL42P6LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
157,25 kr
(exkl. moms)
196,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,725 kr | 157,25 kr |
| 50 - 90 | 14,93 kr | 149,30 kr |
| 100 - 240 | 13,451 kr | 134,51 kr |
| 250 - 490 | 12,096 kr | 120,96 kr |
| 500 + | 11,491 kr | 114,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 876-5685
- Tillv. art.nr:
- STL42P6LLF6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 42A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 34mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 100W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.35mm | |
| Bredd | 5.4 mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STripFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 34mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 100W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.35mm | ||
Bredd 5.4 mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ P Kanal 42 A 60 V Förbättring PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ P Kanal 60 A 40 V Förbättring PowerFLAT, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 60 A 100 V Förbättring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 30 A 100 V Förbättring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 140 A 60 V Förbättring PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 90 A 60 V Förbättring PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 100 V Förbättring PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 20 A 100 V Förbättring PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
