onsemi N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, MLP, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 864-4891
- Tillv. art.nr:
- FDMC3612
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
15 552,00 kr
(exkl. moms)
19 440,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 5,184 kr | 15 552,00 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i ett paket med 5)
37,81 kr
(exkl. moms)
47,26 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 864-4891
- Tillv. art.nr:
- FDMC3612
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | MLP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 212mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 35W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp MLP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 212mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 35W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Bredd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 9.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 150 V Förbättring, 8 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 60 V Förbättring, 8 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench