STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 860-7523P
- Tillv. art.nr:
- STH150N10F7-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
719,50 kr
(exkl. moms)
899,38 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 20 - 98 | 35,975 kr |
| 100 - 198 | 32,13 kr |
| 200 + | 27,595 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 860-7523P
- Tillv. art.nr:
- STH150N10F7-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Kapseltyp | H2PAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 117nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Kapseltyp H2PAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 117nC | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal STripFETTM DeepGateTM, STMicroelectronics
STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.