ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TUMT, RRF015P03
- RS-artikelnummer:
- 826-7731
- Tillv. art.nr:
- RRF015P03TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 30 enheter)*
81,75 kr
(exkl. moms)
102,18 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 26 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | 2,725 kr | 81,75 kr |
| 300 - 720 | 2,494 kr | 74,82 kr |
| 750 - 1470 | 2,427 kr | 72,81 kr |
| 1500 - 2970 | 2,367 kr | 71,01 kr |
| 3000 + | 2,311 kr | 69,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 826-7731
- Tillv. art.nr:
- RRF015P03TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TUMT | |
| Serie | RRF015P03 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 230mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 800mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.8mm | |
| Höjd | 820μm | |
| Längd | 2.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TUMT | ||
Serie RRF015P03 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 230mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 800mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.8mm | ||
Höjd 820μm | ||
Längd 2.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
P-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterade länkar
- ROHM P-Channel MOSFET, 2 A, 12 V, 3-Pin TUMT RZF020P01TL
- ROHM P-Channel MOSFET, 4.5 A, 12 V, 6-Pin TUMT RAL045P01TCR
- ROHM N Kanal, MOSFET, 2.5 A 20 V N, 3 Ben, TUMT, RUF
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RRR015P03
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5L015SP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, RRH140P03
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, SOT, BSS84WAHZG AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 4.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-457
