Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 3.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PICOSTAR, FemtoFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

158,82 kr

(exkl. moms)

198,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 40 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 207,941 kr158,82 kr
40 - 807,728 kr154,56 kr
100 - 4807,532 kr150,64 kr
500 - 9807,336 kr146,72 kr
1000 +7,157 kr143,14 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
823-9240
Tillv. art.nr:
CSD17381F4T
Tillverkare / varumärke:
Texas Instruments
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Texas Instruments

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

FemtoFET

Kapseltyp

PICOSTAR

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

250mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.04nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Framåtriktad spänning Vf

730mV

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

350μm

Längd

1.04mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

640μm

Fordonsstandard

Nej

FemtoFETTM effekt-MOSFET med N-kanal, Texas Instruments


MOSFET-transistorer, Texas Instruments


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.