DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-92 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 823-1820
- Tillv. art.nr:
- ZVN3310A
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
140,68 kr
(exkl. moms)
175,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 60 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 6 620 enhet(er) från den 03 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 7,034 kr | 140,68 kr |
| 40 - 180 | 6,845 kr | 136,90 kr |
| 200 + | 6,668 kr | 133,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 823-1820
- Tillv. art.nr:
- ZVN3310A
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 625mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.01mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.41mm | |
| Längd | 4.77mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 625mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.01mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.41mm | ||
Längd 4.77mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 100 V till 950 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-92 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 600 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 450 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-92 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 600 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, ZVN4206A AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 320 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, E-Line AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 270 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, E-Line AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 710 mA 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 600 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, E-Line AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200