DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302U AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 822-2520
- Tillv. art.nr:
- DMG2302U-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
68,275 kr
(exkl. moms)
85,35 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 350 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 3 050 enhet(er) från den 01 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | 2,731 kr | 68,28 kr |
| 150 - 725 | 2,458 kr | 61,45 kr |
| 750 + | 2,185 kr | 54,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 822-2520
- Tillv. art.nr:
- DMG2302U-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | DMG2302U | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 800mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie DMG2302U | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 800mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG2302U AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3414U AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 1.1 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 90 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101