Nexperia N Kanal, MOSFET, 55 A 25 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK
- RS-artikelnummer:
- 816-6981
- Tillv. art.nr:
- PSMN9R0-25MLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
109,875 kr
(exkl. moms)
137,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 30 | 7,325 kr | 109,88 kr |
| 45 - 75 | 6,981 kr | 104,72 kr |
| 90 - 165 | 6,601 kr | 99,02 kr |
| 180 - 345 | 4,338 kr | 65,07 kr |
| 360 + | 4,129 kr | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 816-6981
- Tillv. art.nr:
- PSMN9R0-25MLC,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.7mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Längd | 3.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.7nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.7mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Längd 3.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 25 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 184 A 55 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, BUK9Y19 AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 330 A 55 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, MOSFETs
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, NextPower
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 60 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 67 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PH8230E
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
