Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 200 enheter (levereras i en rulle)*

1 449,40 kr

(exkl. moms)

1 811,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 160 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
200 - 4807,247 kr
500 - 9806,418 kr
1000 - 19805,499 kr
2000 +4,581 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
814-1323P
Tillv. art.nr:
SISS27DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

23A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

57W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

92nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Höjd

0.78mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

P-kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.