Vishay N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFZ
- RS-artikelnummer:
- 812-0676
- Tillv. art.nr:
- IRFZ40PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
165,98 kr
(exkl. moms)
207,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 33,196 kr | 165,98 kr |
| 50 - 120 | 31,18 kr | 155,90 kr |
| 125 - 245 | 29,882 kr | 149,41 kr |
| 250 - 495 | 26,566 kr | 132,83 kr |
| 500 + | 24,864 kr | 124,32 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 812-0676
- Tillv. art.nr:
- IRFZ40PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IRFZ | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.52mm | |
| Höjd | 4.65mm | |
| Bredd | 4.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IRFZ | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.52mm | ||
Höjd 4.65mm | ||
Bredd 4.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 60 V till 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFZ
- Vishay N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRFZ
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 17 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRFZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 60 V Förbättring, TO-220, HEXFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MTP3055VL
- Infineon N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET