onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 806-3664
- Tillv. art.nr:
- FDS8638
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
68,32 kr
(exkl. moms)
85,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 13,664 kr | 68,32 kr |
| 50 - 95 | 11,782 kr | 58,91 kr |
| 100 - 495 | 10,214 kr | 51,07 kr |
| 500 - 995 | 8,982 kr | 44,91 kr |
| 1000 + | 8,176 kr | 40,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 806-3664
- Tillv. art.nr:
- FDS8638
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.9mm | |
| Höjd | 1.575mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.9mm | ||
Höjd 1.575mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 13 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench