onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 4.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- RS-artikelnummer:
- 806-3560
- Tillv. art.nr:
- FDP5N50NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 806-3560
- Tillv. art.nr:
- FDP5N50NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 4.5 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 500 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | UniFET | |
| Höjd | 16.3 mm | |
| Längd | 10.67 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 1.5 Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 25 V, -25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 78 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Bredd | 4.7 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 4.5 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 500 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie UniFET | ||
Höjd 16.3 mm | ||
Längd 10.67 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 1.5 Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 25 V, -25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 78 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Bredd 4.7 mm | ||
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the Planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 4.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 22 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 51 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 61 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 15 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET