onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 4.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- RS-artikelnummer:
- 806-3560
- Tillv. art.nr:
- FDP5N50NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 806-3560
- Tillv. art.nr:
- FDP5N50NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | UniFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V, -25V | |
| Maximal effektförlust Pd | 78W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 16.3mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie UniFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V, -25V | ||
Maximal effektförlust Pd 78W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 16.3mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
UniFETTM N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFETTM MOSFET är Fairchild Semiconductors högspännings-MOSFET-familj. Den har det minsta on-state-motståndet bland Planar MOSFET-transistorer och ger också överlägsen omkopplingsprestanda och högre avalancheenergi. Dessutom gör den interna gate-source ESD-dioden det möjligt för UniFET-IITM MOSFET att motstå över 2000 V HBM-stötspänning.
UniFETTM MOSFET-transistorer är lämpliga för tillämpningar med switchade strömomvandlare, t.ex. effektfaktorkorrigering (PFC), platt display (FPD), TV-effekt, ATX (Advanced Technology eXtended) och elektroniska lamphållare.
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 4.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 22 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 4.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220F, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 51 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 61 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 39 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, UniFET