onsemi N Kanal, MOSFET, 7.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 806-3501
- Tillv. art.nr:
- FDMC86116LZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, på ett band med 10)*
98,11 kr
(exkl. moms)
122,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 140 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,811 kr | 98,11 kr |
| 100 - 240 | 8,467 kr | 84,67 kr |
| 250 - 490 | 7,325 kr | 73,25 kr |
| 500 - 990 | 6,44 kr | 64,40 kr |
| 1000 + | 5,869 kr | 58,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 806-3501
- Tillv. art.nr:
- FDMC86116LZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 178mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 19W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 178mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 19W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, upp till 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 7.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 40 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 76 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 83 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 45 A 150 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, PowerTrench