IXYS N Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, Polar3
- RS-artikelnummer:
- 802-4461
- Tillv. art.nr:
- IXFQ60N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
93,86 kr
(exkl. moms)
117,32 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Dessutom levereras 2 enhet(er) från den 28 september 2026
- Sista 4 enhet(er) levereras från den 05 oktober 2026
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 93,86 kr |
| 5 - 9 | 74,82 kr |
| 10 - 29 | 71,01 kr |
| 30 - 89 | 69,10 kr |
| 90 + | 67,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 802-4461
- Tillv. art.nr:
- IXFQ60N50P3
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | TO-3PN | |
| Serie | Polar3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.04kW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 96nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp TO-3PN | ||
Serie Polar3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.04kW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 96nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.9mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien
Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS N Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, Polar3
- IXYS N Kanal, Effekt-MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-3PN, Polar3
- IXYS N Kanal, Effekt-MOSFET, 98 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, Polar3
- IXYS N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, Polar3
- IXYS N Kanal, Effekt-MOSFET, 98 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-264, Polar3
- IXYS N Kanal, Effekt-MOSFET, 14 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 78 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS247, HiperFET, Polar3
- IXYS N Kanal, MOSFET, 132 A 500 V Förbättring, 3 Ben, PLUS264, HiperFET, Polar3