Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 798-2930
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R7-30PL,127
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 4 enheter)*
134,06 kr
(exkl. moms)
167,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- 4 kvar, redo att levereras
- Sista 92 enhet(er) levereras från den 30 september 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 4 - 36 | 33,515 kr | 134,06 kr |
| 40 - 96 | 30,838 kr | 123,35 kr |
| 100 + | 29,003 kr | 116,01 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 798-2930
- Tillv. art.nr:
- PSMN2R7-30PL,127
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 16mm | |
| Bredd | 4.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 16mm | ||
Bredd 4.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
N-kanalig MOSFET, upp till 30V
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- Nexperia Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-220
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220