STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F3 AEC-Q101

Antal 5 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

112,90 kr

(exkl. moms)

141,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 22 450 enhet(er) från den 03 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
5 +22,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
795-9000P
Tillv. art.nr:
STD65N55F3
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-252

Serie

STripFET F3

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

110W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.6mm

Höjd

2.4mm

Bredd

6.2 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

N-Channel STripFET™ F3, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics