STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET F3 AEC-Q101

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

993,50 kr

(exkl. moms)

1 242,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 22 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 24519,87 kr
250 - 49517,748 kr
500 +15,242 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
795-9000P
Tillv. art.nr:
STD65N55F3
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

STripFET F3

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

110W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33.5nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.4mm

Längd

6.6mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

N-kanal STripFETTM F3, STMicroelectronics


STripFETTM MOSFET-enheter med ett brett brytningsspänningsområde erbjuder ultralåg grindladdning och lågt motstånd under drift.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.