STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
786-3763P
Tillv. art.nr:
STP10N60M2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-220

Serie

MDmesh M2

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

600mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13.5nC

Maximal effektförlust Pd

85W

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-25, +25V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

15.75mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.6mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

MDmeshTM M2-serien med N-kanal, STMicroelectronics


Ett sortiment av högspänningseffekts-MOSFET från STMicroelecronics. Med sin låga grindladdning och utmärkta utgångskapacitetsegenskaper är MDmesh M2-serien perfekt för användning i omkopplingsströmförsörjningar av resonanttyp (LLC-omvandlare).

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.