onsemi N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 772-9133
- Tillv. art.nr:
- FDD86540
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
104,27 kr
(exkl. moms)
130,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 500 enhet(er) levereras från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 20,854 kr | 104,27 kr |
| 10 - 95 | 17,852 kr | 89,26 kr |
| 100 - 245 | 13,866 kr | 69,33 kr |
| 250 - 495 | 13,53 kr | 67,65 kr |
| 500 + | 11,738 kr | 58,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 772-9133
- Tillv. art.nr:
- FDD86540
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 127W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 127W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 20A till 59,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 11.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench