onsemi N Kanal, MOSFET, 7.2 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT451AN
- RS-artikelnummer:
- 761-3978P
- Tillv. art.nr:
- NDT451AN
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal 5 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
62,90 kr
(exkl. moms)
78,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 230 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 5 + | 12,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-3978P
- Tillv. art.nr:
- NDT451AN
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | NDT451AN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -65°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie NDT451AN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -65°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.7mm | ||
Höjd 1.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.