STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 761-2739
- Tillv. art.nr:
- STF10NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
151,60 kr
(exkl. moms)
189,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 80 enhet(er) från den 04 maj 2026
- Dessutom levereras 340 enhet(er) från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 30,32 kr | 151,60 kr |
| 25 - 45 | 28,804 kr | 144,02 kr |
| 50 - 120 | 25,924 kr | 129,62 kr |
| 125 - 245 | 23,316 kr | 116,58 kr |
| 250 + | 22,164 kr | 110,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-2739
- Tillv. art.nr:
- STF10NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 550mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 25W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 550mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 25W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.4mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 10 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 29 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 6.5 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5 A 600 V Förbättring TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 600 V Förbättring TO-220 SuperMESH