STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- RS-artikelnummer:
- 761-0402
- Tillv. art.nr:
- STB42N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 64,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
80,55 kr
(exkl. moms)
100,69 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 858 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 80,55 kr | - |
| 10 - 99 | 74,09 kr | 64,60 kr |
| 100 - 999 | 73,18 kr | 737,00 kr |
| 1000 + | 72,30 kr | 8 250,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 761-0402
- Tillv. art.nr:
- STB42N65M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 79mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -25V, +25V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 10.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 79mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -25V, +25V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 10.4mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 10.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals MDmesh™ M5-serien, STMicroelectronics
Effekt-MOSFET:erna i MDmesh M5-serien är optimerade för högeffekts PFC- och PWM-topologier. Bland de viktigaste egenskaperna kan nämnas låga on-state-förluster per kiselarea i kombination med låg gate-laddning. De är konstruerade för energimedvetna, kompakta och tillförlitliga applikationer med hård switchning, t.ex. solenergiomvandlare, strömförsörjning för konsumentprodukter och elektronisk belysningskontroll.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MDmesh V effekt-MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 35 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 42 A 710 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 53 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5