STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9.2 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh, SuperMESH

För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-0266P
Tillv. art.nr:
STW11NK90Z
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

900V

Kapseltyp

TO-247

Serie

MDmesh, SuperMESH

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

980mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

95nC

Maximal effektförlust Pd

200W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.15mm

Höjd

20.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 700 V till 1 200 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.