STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, IPAK (TO-251), MDmesh

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 50 enheter (levereras i ett rör)*

1 274,40 kr

(exkl. moms)

1 593,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
50 - 12025,488 kr
125 +19,988 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-0247P
Tillv. art.nr:
STU7NM60N
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

MDmesh

Kapseltyp

IPAK (TO-251)

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.9Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

45W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

2.4mm

Höjd

6.9mm

Längd

6.6mm

Standarder/godkännanden

ECOPACK

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM, 600 V/650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.