STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- RS-artikelnummer:
- 760-9679
- Tillv. art.nr:
- STP24NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
42,11 kr
(exkl. moms)
52,64 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 42,11 kr |
| 10 - 99 | 18,49 kr |
| 100 - 499 | 17,43 kr |
| 500 - 999 | 15,75 kr |
| 1000 + | 14,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-9679
- Tillv. art.nr:
- STP24NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 190mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie MDmesh | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 190mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MDmeshTM, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 13 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2