STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 5.2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh, SuperMESH

Mängdrabatt möjlig

Antal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

269,92 kr

(exkl. moms)

337,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 285 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
10 - 9526,992 kr
100 - 49521,146 kr
500 - 99517,964 kr
1000 +14,806 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
760-9516P
Tillv. art.nr:
STB7NK80ZT4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.8Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40nC

Maximal effektförlust Pd

125W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.6mm

Längd

10.75mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals MDmesh™ SuperMESH™, 700V till 1200V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics