onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- RS-artikelnummer:
- 759-9598P
- Tillv. art.nr:
- FDMS2734
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 759-9598P
- Tillv. art.nr:
- FDMS2734
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | WDFN | |
| Serie | UltraFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 258mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 78W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6mm | |
| Höjd | 750μm | |
| Längd | 5mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp WDFN | ||
Serie UltraFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 258mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 78W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6mm | ||
Höjd 750μm | ||
Längd 5mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerar egenskaper som möjliggör benchmark-effektivitet i applikationer för effektomvandling. Enheten kan motstå hög energi i lavinläget och dioden uppvisar mycket låg omvänd återhämtningstid och lagrad laddning. Optimerad för effektivitet vid höga frekvenser, lägsta RDS(on), lågt ESR och låg total- och Miller-grindladdning.
Tillämpningar inom högfrekventa DC/DC-omvandlare, switchade regulatorer, motorstyrningar, lågspänningsbusswitchar och strömhantering.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.