onsemi N Kanal, MOSFET, 33 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, UniFET
- RS-artikelnummer:
- 759-8973P
- Tillv. art.nr:
- FDB33N25TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 20 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
464,20 kr
(exkl. moms)
580,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- 1 420 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 20 - 198 | 23,21 kr |
| 200 + | 20,16 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-8973P
- Tillv. art.nr:
- FDB33N25TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 33A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | UniFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 94mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 235W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 11.33mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie UniFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 94mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 235W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 11.33mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
UniFET™ N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET är Fairchild Semiconductors MOSFET-familj för högspänning. Den har det minsta on-state-motståndet bland de plana MOSFET:erna och ger också överlägsen switchprestanda och högre lavinenergistyrka. Dessutom gör den interna ESD-dioden i gate-source att UniFET-II™ MOSFET klarar över 2000 V HBM-överspänning.
UniFET™ MOSFETs är lämpliga för applikationer med switchande effektomvandlare, t.ex. effektfaktorkorrigering (PFC), TV-strömförsörjning till plattskärmar (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) och elektroniska lampballaster.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.