DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 310 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZVN4525G AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 751-5269
- Tillv. art.nr:
- ZVN4525GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
85,23 kr
(exkl. moms)
106,54 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 8,523 kr | 85,23 kr |
| 50 - 240 | 6,541 kr | 65,41 kr |
| 250 - 490 | 5,163 kr | 51,63 kr |
| 500 + | 4,906 kr | 49,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 751-5269
- Tillv. art.nr:
- ZVN4525GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 310mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 250V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | ZVN4525G | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -40V, +40V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 310mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 250V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie ZVN4525G | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1V | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -40V, +40V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.7mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.7mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 100 V till 950 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 310 mA 250 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZVN4525G AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 500 mA 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 140 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 710 mA 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.1 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q104
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 450 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q104, AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101