Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET

Antal 5 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

50,40 kr

(exkl. moms)

63,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
5 +10,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
710-3395P
Tillv. art.nr:
SI9933CDY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOIC

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

58mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal effektförlust Pd

2W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.55mm

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Dubbel P-kanal MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.