DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- RS-artikelnummer:
- 708-2535
- Tillv. art.nr:
- ZXMN2F30FHTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
138,425 kr
(exkl. moms)
173,025 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 5,537 kr | 138,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 708-2535
- Tillv. art.nr:
- ZXMN2F30FHTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.75V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.04mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.75V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.04mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 4.9 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 210 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN67D7L
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN3042L
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 0.31 A 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138K
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 430 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN62D0U
- DiodesZetex N-kanal Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMG3406L
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 150 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23