DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN6A11G AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 708-2526
- Tillv. art.nr:
- ZXMN6A11GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
10,34 kr
(exkl. moms)
12,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 8 930 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 + | 2,068 kr | 10,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 708-2526
- Tillv. art.nr:
- ZXMN6A11GTA
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | ZXMN6A11G | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.95V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.9W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 5.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Längd | 6.7mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie ZXMN6A11G | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.95V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.9W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 5.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Längd 6.7mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q100 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN6A11G AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN6A08G AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 7.5 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, ZXMN6A09G AEC-Q100
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4.4 A 55 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, HEXFET
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 710 mA 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100