Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 20 enheter (levereras i ett rör)*

478,20 kr

(exkl. moms)

597,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 12 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
20 - 4823,91 kr
50 - 9822,23 kr
100 - 19820,495 kr
200 +19,265 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
688-7178P
Tillv. art.nr:
IRL1404ZPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

75nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

230W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

8.77mm

Längd

10.66mm

Bredd

4.4mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 200 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 230 W maximal effektförlust - IRL1404ZPBF


Denna MOSFET är utformad för högeffektiv prestanda i olika tillämpningar, särskilt inom automation, elektronik och elteknik. Den säkerställer tillförlitlig drift under extrema förhållanden, vilket är avgörande för avancerade elektroniska system. Dess robusta design gör den till ett föredraget alternativ för ingenjörer som vill optimera strömhanteringslösningar.

Funktioner & fördelar


• Kan hantera kontinuerliga dräneringsströmmar upp till 200 A

• Låg dränering-källa-motstånd på förbättrar effektiviteten

• Lämplig för höga omkopplingshastigheter för att minska energiförluster

• Fungerar inom ett brett temperaturområde från -55 °C till +175 °C

• Ger en maximal grindströskelspänning på 2,7 V för kompatibilitet

• Utformad i en TO-220-förpackning med genomgående hål för enkel montering

Användningsområden


• Används i effektförstärkare och omvandlare

• Används i DC-DC switchade nätaggregat

• Integrerad i motorstyrningskrets

• Idealisk för fordons- och förnybar energi

Vad är den maximala spänningen som denna komponent kan hantera?


Den kan hantera en maximal dräneringskällspänning på 40 V.

Hur påverkar grindströspänningen driften?


En grindströmspänning på 2,7 V säkerställer effektiv aktivering av enheten, vilket möjliggör exakt styrning.

Kan denna komponent användas i miljöer med hög temperatur?


Ja, den är klassad för drift upp till +175 °C, vilket gör den lämplig för intensiva tillämpningar.

Vad är betydelsen av låg drain-source-resistans?


Lågt motstånd minimerar effektförluster, vilket förbättrar den övergripande systemets effektivitet, särskilt vid höga strömbelastningar.

Motorstyrning och AC-DC synkron utjämnare MOSFET, Infineon


Motorstyrning MOSFET


Infineon erbjuder ett omfattande sortiment av robusta N-kanal och P-kanal MOSFET-enheter för motorstyrning.

Synkron utjämnare MOSFET


En portfölj av synkron utjämnings-MOSFET-enheter för AC-DC-strömförsörjningar stöder kundens krav på högre effekttäthet, mindre storlek, mer portabilitet och mer flexibla system.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.