STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II
- RS-artikelnummer:
- 687-5197P
- Tillv. art.nr:
- STB55NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
678,50 kr
(exkl. moms)
848,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 970 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 245 | 13,57 kr |
| 250 - 495 | 9,57 kr |
| 500 + | 7,466 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-5197P
- Tillv. art.nr:
- STB55NF06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 9.35mm | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 9.35mm | ||
Höjd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.