STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET II

Mängdrabatt möjlig

Antal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

89,46 kr

(exkl. moms)

111,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 005 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
10 +8,946 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5197P
Tillv. art.nr:
STB55NF06T4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

50A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STripFET II

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

18mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

44.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

110W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

10.4mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanalig STripFET™ II, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics