STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 400 mA 600 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, MDmesh, SuperMESH

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

703,50 kr

(exkl. moms)

879,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 190 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
100 - 4907,035 kr
500 - 9905,531 kr
1000 - 19905,054 kr
2000 +4,778 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
687-5131P
Tillv. art.nr:
STN1HNK60
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

400mA

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

MDmesh, SuperMESH

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

8.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3.3W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.5mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.5mm

Höjd

1.8mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MDmeshTM SuperMESHTM, 250 V till 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.