onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.5 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, NDT
- RS-artikelnummer:
- 671-1096P
- Tillv. art.nr:
- NDT2955
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (5 enheter, levereras på en kontinuerlig remsa)*
72,46 kr
(exkl. moms)
90,57 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- 78 845 kvar, redo att levereras
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 5 + | 14,492 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-1096P
- Tillv. art.nr:
- NDT2955
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | NDT | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 300mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.56mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie NDT | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 300mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.56mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.
Funktioner och fördelar:
• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler
• Cellkonstruktion med hög densitet
• Hög mättnadsström
• Överlägsen omkoppling
• Mycket robust och tillförlitlig prestanda
• DMOS-teknik
Användningsområden:
• Lastväxling
• DC/DC-omvandlare
• Batteriskydd
• Kontroll av strömhantering
• Styrning av DC-motor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.