onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 3.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- RS-artikelnummer:
- 671-0908
- Tillv. art.nr:
- FQB4N80TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
25,54 kr
(exkl. moms)
31,92 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 1 041 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 25,54 kr |
| 10 - 99 | 21,95 kr |
| 100 - 249 | 17,02 kr |
| 250 - 499 | 16,58 kr |
| 500 + | 14,22 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0908
- Tillv. art.nr:
- FQB4N80TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | QFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.6Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.13W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -30V, +30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie QFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.6Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3.13W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Höjd 4.83mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
QFET® N-kanal MOSFET, upp till 5,9 A, Fairchild Semiconductor
FairFairchild Semiconductors nya QFET® planära MOSFET-enheter använder avancerad, proprietär teknik för att erbjuda bästa driftsprestanda i klassen för ett brett utbud av tillämpningar, inklusive strömförsörjningar, PFC (Power Factor Correction), DC-DC-omvandlare, plasmadisplaypaneler (PDP), förkopplingsdon för belysning och rörelsestyrning.
De erbjuder minskad on-state-förlust genom att sänka on-resistansen (RDS(on)), och minskad switching-förlust genom att sänka grindladdningen (Qg) och utgångskapaciteten (Coss). Genom att använda avancerad QFET®-processteknik kan Fairchild erbjuda en förbättrad meritfaktor (FOM) jämfört med konkurrerande Planar MOSFET-enheter.
MOSFET-transistorer, ON Semi
><
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 3.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET