onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- RS-artikelnummer:
- 671-0860
- Tillv. art.nr:
- FQB12P20TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
202,16 kr
(exkl. moms)
252,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 500 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 40,432 kr | 202,16 kr |
| 50 - 95 | 36,40 kr | 182,00 kr |
| 100 + | 32,346 kr | 161,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0860
- Tillv. art.nr:
- FQB12P20TM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | QFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 470mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.13W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie QFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 470mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximal effektförlust Pd 3.13W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf -5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 9.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode P-kanal MOSFET, ON Semiconductor
ON Semiconductors sortiment av P-kanaliga MOSFETS tillverkas med ON Semis egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna process med mycket hög densitet har utformats för att minimera on-state-motståndet och ge en robust och tillförlitlig prestanda för snabb omkoppling.
Funktioner och fördelar:
• Spänningsstyrd P-kanalsswitch för små signaler
• Cellkonstruktion med hög densitet
• Hög mättnadsström
• Överlägsen omkoppling
• Mycket robust och tillförlitlig prestanda
• DMOS-teknik
Användningsområden:
• Lastväxling
• DC/DC-omvandlare
• Batteriskydd
• Kontroll av strömhantering
• Styrning av DC-motor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 11.5 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 22 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ P Kanal, P-kanal QFET MOSFET, 2.7 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, QFET