onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 671-0312P
- Tillv. art.nr:
- 2N7002
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 200 enheter (levereras i en rulle)*
492,80 kr
(exkl. moms)
616,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 5 920 enhet(er) levereras från den 20 oktober 2026
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 20 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 200 - 480 | 2,464 kr |
| 500 - 980 | 2,139 kr |
| 1000 - 1980 | 1,882 kr |
| 2000 + | 1,719 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 671-0312P
- Tillv. art.nr:
- 2N7002
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 115mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 200mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 223nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.92mm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 930μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 115mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 200mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 223nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.92mm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 930μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.